芯片电性分析


        ESD测试(HBM/MM):
        随着IC制作工艺的不断演进，芯片的制程尺寸逐渐缩小，现在最新技术已到纳米阶段，但由此而来的IC对静电放电(ESD)的敏感度也随之提升许多。为了减少组件因ESD损伤而造成客户退货及其它损失，组件的ESD防护能力也就成了提升可靠度的重要指标。

        ESD据产生的原因和对IC放电的方式不同，主要分为以下三种：
        a、 HBM。人体放电模式（human－body model）
        b、 MM。机器放电模式（machine model）
        c、 CDM。组件充电模式（charged－device model）

        Latch-up测试



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