展芯科技芯片分析实验室 FIB聚焦离子束实验室

        FIB性能参数

1. 型号：FEI DualBeam 820.   FIB/SEM（离子束/电子束）双束机台
2. 大陆地区第一台投入商业服务的Dual-Beam双束机台
3. 最精准分辨率高达7nm
4. 可同时提供FIB聚焦离子束切割修改与SEM电子束影像观察
5. 微线路切割，卤素气体辅助蚀刻
6. 纵向切割 Cross-Section
7. 深层微沉积，沉积金属物为白金/钨
8. VC (Voltage Contrast) 电位对比测试，判断连接线(metal, poly, contact, via)之open/ short
9. 微线路修改最高制程可达0.13um
10. 支持8英寸wafer

        FIB主要应用范围

        FIB (Focused Ion Beam) 聚焦离子束技术为芯片研发和芯片制程分析过程提供了至关重要的辅助支持, FIB设备也因此成为自20世纪90年代以来芯片产业必备分析设备之一. 其主要应用范围有：

        微线路修改（Microcircuit Modification）
        可直接对金属线做切断、连接或跳线处理. 相对于再次流片验证, 先用FIB工具来验证线路设计的修改, 在时效和成本上具有非常明显的优势。

        测试键生长（Test Pad/Probing Pad Building）
        在复杂线路中任意位置镀出测试键, 工程师可进一步使用探针台(Probe station) 或 E-beam 直接观测IC内部信号.

        纵向解剖 Cross-section
        SEM扫描电镜/TEM透射电镜的样片制备.

        FIB原理
        静电透镜聚焦的高能量镓离子, 经高压电场加速后撞击试片表面, 在特定气体协作下产生图像并移除或沉淀(连接)物质, 其解析度为亚微米级别. 离子束实体喷溅加以卤素气体协作, 可完成移除表面物质 (纵向解剖/开挖护层、切断金属线), 离子束喷溅与有机气体协作则可完成导体沉积 (金属线连接、测试键生长).

        FIB实验室

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