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国家存储器基地加速建设

来源:中国新闻网 作者: 发布时间:2018-08-06 浏览量:
在位于武汉东湖高新区的长江存储科技有限责任公司(国家存储器基地),紫光集团联席总裁刁石京透露,中国首批拥有自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于今年第四季度在此实现量产。
据悉,长江存储于2017年成功研发中国首颗32层三维NAND闪存芯片,并获得中国电子信息博览会(CITE2018)金奖。
这颗芯片,耗资10亿美元,由1000人团队历时2年自主研发,是中国主流芯片中研发制造水平最接近世界一流的高端存储芯片,实现了中国存储芯片“零”的突破。
刁石京介绍,目前,芯片生产设备正在进行安装调试,今年第四季度,32层三维闪存芯片将在一号芯片生产厂房进行量产。此外,64层三维闪存芯片研发也在紧锣密鼓地进行,计划2019年实现量产。
刁石京表示,中国芯片技术落后于世界,但自主研发的脚步始终没有停止,两代芯片实现量产后将缩短与美国、日本、韩国等国家在存储芯片上的差距。
据悉,长江存储由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北省科技投资集团共同投资建设,负责国家存储器基地项目。
根据规划,至2023年,基地产能将达到每月30万片,并形成设计、测试、封装、制造、应用等上下游集群。
 


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